[发明专利]清洁半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201010002900.1 | 申请日： | 2010-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101894738A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | R·K·巴尔;C·占;M·L·莫恩翰 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L31/18;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;周承泽 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种清洁半导体晶片的方法，该方法使用酸清洁剂然后用碱清洁剂从该材料清除污染物。该酸清洁剂去除基本上所有金属污染物，而该碱清洁剂去除基本上所有非金属污染物，例如有机物和微粒材料。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，该方法包括按照顺序的以下步骤：a)向半导体晶片施用包含一种或多种选自多羧酸和无机酸的酸的含水酸组合物；和b)向该半导体晶片施用包含一种或多种碱化合物的含水碱组合物，以从该材料去除金属和残余物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
