[发明专利]具波导管的半导体元件结构与形成方法

摘要

本发明公开了一种具波导管的半导体元件结构与形成方法。首先提供定义有元件区与波导管区的硅覆绝缘基板，其包含硅基底、绝缘层与硅层。接着依序形成保护层以及覆盖波导管区并曝露元件区的图案化掩模层。接着蚀刻保护层、硅层及绝缘层以形成凹槽，并暴露出硅基底。随后于凹槽内形成外延层，再于外延层上形成半导体元件。本发明解决已知将半导体元件整合制作于硅覆绝缘基板的半导体元件电性不佳问题。

主权项

一种具波导管的半导体元件结构形成方法，该方法包含至少下列步骤：提供硅覆绝缘基板，该硅覆绝缘基板上定义有元件区与波导管区，且该硅覆绝缘基板包含硅基底、覆盖于该硅基底上的绝缘层，以及覆盖于该绝缘层上的硅层；形成保护层于该硅覆绝缘基板上；于该硅覆绝缘基板上形成图案化掩模层，覆盖该波导管区并曝露该元件区；利用蚀刻步骤，蚀刻该保护层、该硅层及该绝缘层以形成凹槽，并暴露出该硅基底；进行外延工艺，以于该凹槽内形成外延层；以及于该外延层上形成半导体元件。