[发明专利]化学气相沉积设备的温度控制方法有效
| 申请号： | 200980162273.3 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102598216A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 洪性在 | 申请（专利权）人： | 丽佳达普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 需要一种能够区分衬托器表面和晶片表面之间的温度差异并且通过反映所述温度差异控制温度的方法。为了实现此目的，本发明提供一种化学气相沉积设备的温度控制方法，该化学气相沉积设备包括：腔室；衬托器，位于所述腔室的内侧以在所述腔室中转动，其中晶片层叠在衬托器上侧；设置在所述腔室内并且向所述晶片喷射气体的气体供应单元；设置在所述衬托器内并且加热所述晶片的加热器；以及位于所述腔室中并且测量温度的温度传感器。所述温度控制方法包括步骤：(a)基于所述温度传感器的测量值计算所述衬托器的温度分布，并且，将所述温度分布的相对高温段划分为衬托器段，将所述温度分布的相对低温段划分为晶片段；以及(b)通过将预设参考温度与在所述衬托器段或所述晶片段的选定位置的温度进行比较来控制加热器。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 设备 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积设备的温度控制方法，该化学气相沉积设备包括：腔室；可转动地布置在所述腔室中并且被配置为上表面上装载有晶片的衬托器；设置在所述腔室中并且被配置为向所述晶片喷射气体的气体供应单元；设置在所述衬托器中并且被配置为加热所述晶片的加热器；以及设置在所述腔室的上部并且被配置为测量所述衬托器的上表面的温度的温度传感器，所述温度控制方法包括步骤：(a)基于所述温度传感器的测量值计算所述衬托器的温度分布，并且，将所述温度分布的相对高温段分类为衬托器段，将所述温度分布的相对低温段分类为晶片段；以及(b)通过将在从所述衬托器段或所述晶片段选择的位置处的温度与预设参考温度进行比较来控制加热器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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