[发明专利]具备具有二极管区和IGBT区的半导体基板的半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管漂移区内形成有寿命控制区。二极管漂移区和IGBT漂移区在二极管区和IGBT区之间的边界区内连续。边界区内形成有第1分离区和第2分离区。第1分离区为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与阳极区相接。第2分离区为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与体区相接，且与第1分离区分离。

主权项

一种半导体装置，其具备形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区的半导体基板，所述半导体装置的特征在于，在二极管区中形成有：阳极区，其为p型，且被形成在包含半导体基板的上表面在内的范围内；二极管漂移区，其为n型，且被形成在阳极区的下侧；阴极区，其为n型，且n型杂质浓度高于二极管漂移区，并被形成在包含半导体基板的下表面在内的、二极管漂移区的下侧的范围内，在绝缘栅双极性晶体管区中形成有：发射区，其为n型，且被形成在包含半导体基板的上表面在内的范围内；体区，其为p型，且被形成在包含半导体基板的上表面在内的范围、以及发射区的下侧的范围内；绝缘栅双极性晶体管漂移区，其为n型，且被形成在体区的下侧，并通过体区而与发射区分离；集电区，其为p型，且被形成在包含半导体基板的下表面在内的、绝缘栅双极性晶体管漂移区的下侧的范围内；栅电极，其通过绝缘膜而与将发射区和绝缘栅双极性晶体管漂移区分离的范围内的体区对置，在二极管漂移区内形成有寿命控制区，寿命控制区内的载流子寿命短于寿命控制区外的二极管漂移区内的载流子寿命，二极管漂移区和绝缘栅双极性晶体管漂移区在二极管区和绝缘栅双极性晶体管区之间的边界区内连续，在边界区内形成有：第1分离区，其为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与阳极区相接；第2分离区，其为p型，且被形成在从半导体基板的上表面起到比阳极区的下端以及体区的下端更深的深度为止的范围内，并与体区相接；n型区，其为n型，且被形成在第1分离区和第2分离区之间，从而将第1分离区和第2分离区分离。