[发明专利]用于集成无电容器存储器单元与逻辑的方法及结构有效
| 申请号： | 200980150820.6 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102257611A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示用于制作集成电路的方法，其包含：在衬底上制作逻辑装置；在所述逻辑装置的表面上形成中间半导体衬底；及在所述中间半导体衬底上制作无电容器存储器单元。还揭示具有形成于逻辑装置的表面上的无电容器存储器单元的集成电路以及包含此些集成电路的多核微处理器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成 电容器 存储器 单元 逻辑 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种用于制作集成电路的方法，其包含：制作包括逻辑且具有作用表面的晶片；将半导体材料安置到所述晶片的所述作用表面上；及在所述半导体材料上制作至少一个无电容器存储器单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
