[发明专利]用于集成无电容器存储器单元与逻辑的方法及结构

权利要求书

1.一种用于制作集成电路的方法，其包含：

制作包括逻辑且具有作用表面的晶片；

将半导体材料安置到所述晶片的所述作用表面上；及

在所述半导体材料上制作至少一个无电容器存储器单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中制作包括逻辑的晶片包括将至少一个逻辑装置制作到硅衬底上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中制作至少一个逻辑装置包括在所述晶片的所述作用表面上制作包括金属布线的逻辑装置。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括在电介质材料内安置所述金属布线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将半导体材料安置到所述晶片的所述作用表面上包括：

将离子植入到供体硅晶片中达一深度；

将所述供体硅晶片热处理到高于植入温度的温度；

将所述供体硅晶片的一侧暴露于等离子；

将所述供体硅晶片的暴露于所述等离子的所述侧接合到所述包括逻辑的晶片的所述作用表面；及

从所述供体硅晶片的相对侧在大致所述深度处移除硅材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述供体硅晶片暴露于等离子包括将所述供体硅晶片暴露于包括以下各项中至少一者的等离子：氩、氩与氧、氩与氢、氢、氢与氧、氮、氨(NH₄)及氢/氦。

7.根据权利要求5所述的方法，其中将所述供体硅晶片接合到所述包括逻辑的晶片的所述作用表面包括将所述供体硅晶片叠加到所述包括逻辑的晶片的所述作用表面上并加热到大约400℃或更低的温度。

8.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括使已从中移除所述硅材料的所述供体硅晶片的表面平滑。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半导体材料上制作至少一个无电容器存储器单元包括：

从在各侧及底部上大致由绝缘体材料环绕的所述半导体材料的一部分形成作用区域；

在所述作用区域上形成高k栅极电介质及金属栅极；及

从所述作用区域形成源极区与漏极区。

10.根据权利要求9所述的方法，其中从所述作用区域形成源极区与漏极区包括：

在用于源极区与漏极区的位置中对所述作用区域进行掺杂；

通过在大约400℃或更低的温度下进行微波退火来激活用于所述源极区与所述漏极区的所述位置中的掺杂剂。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述作用区上形成高k栅极电介质包括：

在所述作用区域上形成金属材料；

在大约400℃或更低的温度下氧化所述金属材料。

12.一种形成集成电路的方法，其包括：

在具有表面的供体衬底内形成经植入带以界定包含所述供体衬底表面的转移区；

将所述供体衬底表面暴露于等离子；

将所述供体衬底表面接合到逻辑装置衬底；

沿所述经植入带的内部边界分拆所述供体衬底且留下接合到所述逻辑装置衬底的所述转移区；及

将至少一个无电容器存储器单元制作到所述转移区上。

13.根据权利要求12所述的方法，其中将至少一个无电容器存储器单元制作到所述转移区上包括：

用绝缘区将作用区与所述转移区的剩余部分隔离；

在所述作用区上形成栅极电极，所述作用区与所述栅极电极之间插入有高k栅极电介质；

在所述作用区中的用于漏极与源极的位置中植入杂质；及

激活所述杂质。

14.根据权利要求13所述的方法，其中激活所述杂质包括微波退火。

15.根据权利要求12所述的方法，其中在供体衬底中形成经植入带包括用氢离子对所述供体衬底进行植入达所述供体衬底内的大致均匀深度。

16.根据权利要求12所述的方法，其中将所述供体衬底表面暴露于等离子进一步包括将所述供体衬底表面暴露于等离子以在所述供体衬底表面上提供经激活离子物质。