[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200980148846.7 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102239577A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 金昌台;南起燃;李泰熙 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;孙海龙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件，更具体地涉及一种通过电子和空穴的复合而产生光的半导体发光器件。该半导体发光器件包括：第一接合电极和第二接合电极，它们为电子和空穴的复合供应电流；从第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极；以及从第二接合电极延伸的第三分支电极，其位于第一分支电极与第二分支电极之间，并且与第一分支电极相距第一间隔，与第二分支电极相距为比第一间隔小的第二间隔。第二分支电极与第一分支电极相比位于距离发光器件的中心更远的位置上，并且第二分支电极与第三分支电极相比位于距离发光器件的中心更远的位置上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，其通过电子和空穴的复合而产生光，所述半导体发光器件包括：第一接合电极和第二接合电极，所述第一接合电极和第二接合电极为电子和空穴的复合供应电流；从所述第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极；以及从所述第二接合电极延伸的第三分支电极，所述第三分支电极位于所述第一分支电极与所述第二分支电极之间，并且与所述第一分支电极相距第一间隔，与所述第二分支电极相距比所述第一间隔小的第二间隔，其中，所述第二分支电极与所述第一分支电极相比，位于距离所述半导体发光器件的中心更远的位置上，并且所述第二分支电极与所述第三分支电极相比，位于距离所述半导体发光器件的中心更远的位置上。
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