[发明专利]具有改进的阻隔层性能的薄膜的高速沉积无效
| 申请号： | 200980148629.8 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102239278A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | E.R.迪基;W.巴罗 | 申请（专利权）人： | 莲花应用技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李连涛;林毅斌 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 原子层沉积(ALD)方法用于将金属氧化物如二氧化钛的薄膜阻隔层(100)沉积到基材(110)上。当在低于约100℃的温度下由ALD沉积二氧化钛阻隔层时能够观察到优异的阻隔层性能。公开了低于100埃厚度并具有低于大约0.01克/m2/天的水蒸汽透过速率的阻隔层，以及制造该阻隔层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 阻隔 性能 薄膜 高速 沉积 | ||
【主权项】：
沉积到基材之上的蒸汽阻隔层，该阻隔层包括：低于150埃厚度并具有低于0.5 g/m2/天的水蒸汽透过速率的金属氧化物薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莲花应用技术有限责任公司，未经莲花应用技术有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980148629.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
