[发明专利]磁存储介质制造方法、磁存储介质以及信息存储装置无效
| 申请号： | 200980147350.8 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102224544A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 佐藤贤治;田中努;涡卷拓也;西桥勉;森田正;渡边一弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/65;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供能够制造位元规则型等的类型的磁存储介质的简单实用的方法、可以由这种简单实用的方法制造的上述类型的磁存储介质和信息存储装置，在磁盘制造方法中，执行以下步骤：成膜工序(A)，在玻璃基板(61)上形成磁性膜(62)，使得居里温度为600K以下；以及离子注入工序(C)，将离子局部地注入到所述磁性膜(62)上的除了预定的保护区域以外的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 介质 制造 方法 以及 信息 装置 | ||
【主权项】：
一种磁存储介质制造方法，其特征在于，包括以下步骤：磁性膜形成步骤，在基板上形成磁性膜，使得居里温度为600K以下；以及离子注入步骤，对于所述磁性膜，对除了预定的保护区域以外的其它区域局部地注入离子。
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