[发明专利]磁存储介质制造方法、磁存储介质以及信息存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及磁存储介质制造方法、磁存储介质以及具有磁存储介质的信息存储装置。

背景技术

作为能够高速存取并且高速传输数据的大容量存储装置，硬盘驱动器(HDD：Hard Disk Drive)已成为信息存储装置的主流。关于该HDD，迄今，面记录密度至今仍以很高的年增长率增长，目前也仍然期望进一步提高记录密度。

为了提高HDD的记录密度，需要减小轨道宽度或者缩短记录位长，但是，当轨道宽度减小时，在相邻的轨道之间容易出现所谓的磁干扰。即，该干扰是以下现象的总称：在记录时磁记录信息改写目标轨道以外的邻接轨道的现象，以及在再生时由于来自目标轨道外的邻接轨道的漏磁场而导致的串扰的现象。这些现象都成为导致再生信号的S/N比下降，导致差错率恶化的因素。

另一方面，当记录位长缩短时，出现热波动现象，其中，由于磁干扰的影响，长时间保存记录比特的性能会下降。

作为避免这些磁干扰以及热波动现象，实现短位长或者高轨道密度的磁存储介质，提出了离散轨道型的磁存储介质。此外，除了离散轨道型的磁存储介质以外，也提出了位元规则(bit patterned)型的磁存储介质(例如，参见专利文献1)。具体地，在位元规则型的磁存储介质中，预先确定了记录比特的位置，在该预先确定的记录比特位置处形成磁性材料的点(磁性点)，并且磁性点之间的部分由非磁性材料构成。这样当磁性点彼此分开时，磁性点之间的磁相互作用变小，避免了上述干扰与热波动现象。

这里，传统上，位元规则型的磁存储介质大多是由以下制造方法来制造的。在该制造方法中，首先，在基板上形成均匀的磁性膜。随后，通过例如刻蚀等的工艺从该磁性膜去除用作为比特的区域之外的区域，从而形成磁性点。然后，用非磁性材料填充该去除的区域，从而形成对磁性点之间进行磁分隔的点间分隔带。通过这一系列处理，得到了位元规则型的磁存储介质。

这里，在这种以往的制造方法中，容易在磁性点与点间分隔带之间出现厚度差。因此，在这种以往的制造方法中，为了稳定磁头在磁存储介质上的悬浮特性，需要对磁存储介质的表面进行高精度的平坦化。因此，出现了需要执行非常复杂的制造工艺的问题，并出现了制造成本增加的问题。

因而，提出了通过将离子注入至磁性膜从而局部地改变磁特性来形成磁性点的分隔状态的加工方法(离子掺杂系统)(例如，参见专利文献2-4)。

根据该离子掺杂方式，通过注入离子来改变磁特性，从而不需要蚀刻、填充、平坦化等的复杂制造工艺，能够在很大程度上抑制制造成本的增加。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第1888363号说明书

专利文献2：日本特许第4006400号说明书

专利文献3：日本特开2002-288813号公报

专利文献4：日本特开2003-536199号公报

发明内容

本发明所要解决的问题

然而，仅仅应用离子掺杂方式只能减小磁各向异性，几乎不改变饱和磁化强度，因此，不能解决由于上述的磁相互作用导致的干扰以及热波动现象，还未达到实用化。

另外，此前例举了位元规则型的磁存储介质，对上述的简单制造方法还未能实用化的问题进行了说明。然而，这种问题不限于位元规则型的磁存储介质，例如对于离散轨道型的磁存储介质也是问题。换言之，这种问题对于具有以磁的方式记录信息的磁性部以及饱和磁化强度比磁性部的饱和磁化强度更小的低磁性部的磁存储介质是共同的问题。

鉴于前述的情况，本发明的目的是提供能够制造上述类型的磁存储介质的简单实用的制造方法，可以通过这种简单实用的制造方法制造的上述类型的磁存储介质以及信息存储装置。

解决问题的手段

实现上述目的的磁存储介质制造方法的基本形式包括磁性膜形成步骤和离子注入步骤。

磁性膜形成步骤包括在基板上形成磁性膜，使得居里温度为600K以下。

离子注入步骤包括针对所述磁性膜，将离子局部地注入到除了预定的保护区域以外的其他区域中。

此外，实现上述目的的磁存储介质的基本形式包括基板、磁性部以及低磁性部。

磁性部具有在基板上形成为居里温度为600K以下的磁性膜，以磁的方式记录信息。

低磁性部，其具有在与磁性部的磁性膜连续的磁性膜中注入有离子的注入膜，并且该低磁性部的饱和磁化强度比磁性部的饱和磁化强度小。

此外，实现上述目的的信息存储装置的基本形式具有上述的磁存储介质、磁头以及磁头位置控制系统。

磁头接近或接触所述磁存储介质，以磁的方式对磁性部进行信息的记录和/或再生。