[发明专利]磁存储介质制造方法、磁存储介质以及信息存储装置

权利要求书

1.一种磁存储介质制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

磁性膜形成步骤，在基板上形成磁性膜，使得居里温度为600K以下；以及

离子注入步骤，对于所述磁性膜，对除了预定的保护区域以外的其它区域局部地注入离子。

2.根据权利要求1所述的磁存储介质制造方法，其特征在于，所述磁性膜形成步骤是如下步骤：按照使所述磁性膜的居里温度为600K以下的膜厚形成该磁性膜。

3.根据权利要求1或2所述的磁存储介质制造方法，其特征在于，所述离子注入步骤是如下步骤：使用在所述磁性膜延伸的方向上规则排列的多个部位作为所述保护区域，对该多个部位的相互之间局部地注入离子。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的磁存储介质制造方法，其特征在于，所述离子注入步骤是如下步骤：使用氧离子和氮离子中的任何一种离子作为所述离子。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的磁存储介质制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括以下步骤：

掩模形成步骤，在所述磁性膜上形成阻碍离子注入到所述保护区域的掩模，其中

所述离子注入步骤是如下步骤：通过从形成有所述掩模的磁性膜上方施加离子，对除了被该掩模保护的保护区域以外的其它区域局部地注入离子。

6.根据权利要求5所述的磁存储介质制造方法，其特征在于，所述掩模形成步骤是如下步骤：用抗蚀剂形成所述掩模。

7.根据权利要求5或6所述的磁存储介质制造方法，其特征在于，所述掩模形成步骤是如下步骤：通过纳米压印工艺，用抗蚀剂形成所述掩模。

8.一种磁存储介质，其特征在于，该磁存储介质包括：

基板；

磁性部，其具有在所述基板上形成为居里温度为600K以下的磁性膜，以磁的方式记录信息；以及

低磁性部，其具有在与所述磁性部的磁性膜连续的磁性膜中注入有离子的被注入膜，并且所述低磁性部的饱和磁化强度小于该磁性部的饱和磁化强度。

9.根据权利要求8所述的磁存储介质，其特征在于，

所述磁性部是在所述基板上规则地多个排列的各以磁的方式记录信息的磁性点，并且

所述低磁性部是设置在所述磁性点相互之间的阻碍该磁性点相互的磁耦合的点间分隔带。

10.一种信息存储装置，其特征在于，所述信息存储装置包括：

磁存储介质，其包括：

基板；

磁性部，其具有在该基板上形成为居里温度为600K以下的磁性膜，以磁

的方式记录信息；以及

低磁性部，其具有在与该磁性部的磁性膜连续的磁性膜中注入有离子的被

注入膜，并且所述低磁性部的饱和磁化强度小于该磁性部的饱和磁化强度；

磁头，其接近或接触所述磁存储介质，以磁的方式对磁性部执行信息的记录和/或再生；以及

磁头位置控制机构，其相对于所述磁存储介质的表面相对移动所述磁头，将该磁头定位于要通过该磁头进行信息的记录和/或再生的磁性部上。

11.根据权利要求10所述的信息存储装置，其特征在于，

所述磁存储介质的磁性部是在所述基板上规则地多个排列的各以磁的方式记录信息的磁性点，并且

所述低磁性部是设置在所述磁性点相互之间的阻碍该磁性点相互的磁耦合的点间分隔带。