[发明专利]用于高频的电介质陶瓷组合物及其制造方法、用于高频的电介质陶瓷及其制造方法以及使用该用于高频的电介质陶瓷的高频电路元件

摘要

一种用于高频的电介质陶瓷组合物，用组合式a(Sn，Ti)O2-bMg2SiO4-cMgTi2O5-dMgSiO3表示。上述组合式中的a、b、c及d(其中a、b、c及d是摩尔％)分别处于4≤a≤37、34≤b≤92、2≤c≤15、及2≤d≤15的范围内，在此，a+b+c+d＝100。用于高频的电介质陶瓷组合物，相对介电常数εr是7.5～12.0、且Qm×fo值是50000(GHz)以上，并且谐振频率fo的温度系数τf的绝对值是30ppm/℃以下。

主权项

一种用于高频的电介质陶瓷组合物，用组合式a(Sn，Ti)O2‑bMg2SiO4‑cMgTi2O5‑dMgSiO3表示，上述组合式中的a、b、c、及d分别处于4≤a≤37、34≤b≤92、2≤c≤15、及2≤d≤15的范围内，在此，a+b+c+d＝100，其中a、b、c、及d是摩尔％。