[发明专利]用于高频的电介质陶瓷组合物及其制造方法、用于高频的电介质陶瓷及其制造方法以及使用该用于高频的电介质陶瓷的高频电路元件

权利要求书

1.一种用于高频的电介质陶瓷组合物，用组合式a(Sn，Ti)O₂-bMg₂SiO₄-cMgTi₂O₅-dMgSiO₃表示，上述组合式中的a、b、c、及d分别处于4≤a≤37、34≤b≤92、2≤c≤15、及2≤d≤15的范围内，在此，a+b+c+d＝100，其中a、b、c、及d是摩尔％。

2.根据权利要求1所述的用于高频的电介质陶瓷组合物，其特征在于，上述(Sn，Ti)O₂是(Sn_0.8Ti_0.2)O₂。

3.一种用于高频的电介质陶瓷组合物的制造方法，是制造权利要求1所述的用于高频的电介质陶瓷组合物的方法，其特征在于，使用SnO₂、TiO₂、及Mg₂SiO₄作为初始原料，在混合/碎解规定量的这些初始原料而得到的粉末中添加粘合剂，进行成形、焙烧。

4.一种用于高频的电介质陶瓷，其特征在于，包含由权利要求1所述的用于高频的电介质陶瓷组合物构成的主成分和由MnO构成的添加成分，相对于100重量份上述主成分添加0.1～5.0重量份该添加成分，且该添加成分的相对密度是95％以上。

5.根据权利要求4所述的用于高频的电介质陶瓷，其特征在于，上述用于高频的电介质陶瓷，其相对介电常数ε_r是7.5～12.0，且Q_m×f_o值是50000以上，谐振频率f_o的温度系数τ_f是-30～+30ppm/℃。

6.一种用于高频的电介质陶瓷的制造方法，是制造权利要求4所述的用于高频的电介质陶瓷的方法，其特征在于，使用经混合、煅烧规定量的SnO₂、TiO₂、及Mg₂SiO₄后粉碎过的物质作为初始原料，在相对于100重量份该初始原料添加0.1～5.0重量份MnO作为烧结助剂而得到的粉末中添加有机粘合剂，进行成形、焙烧。

7.一种高频电路元件，其特征在于，含有由权利要求4所述的用于高频的电介质陶瓷构成的构件。

8.一种用于高频的电介质陶瓷，其特征在于，由权利要求1所述的用于高频的电介质陶瓷组合物构成，并且表面的算术平均粗糙度Ra在2μm以下。

9.根据权利要求8所述的用于高频的电介质陶瓷，其特征在于，上述用于高频的电介质陶瓷，其相对介电常数ε_r是7.5～12.0，且Q_m×f_o值是50000以上，谐振频率f_o的温度系数τ_f是-30～+30ppm/℃。

10.一种用于高频的电介质陶瓷的制造方法，是制造权利要求8所述的用于高频的电介质陶瓷的方法，其特征在于，使用SnO₂、TiO₂、及Mg₂SiO₄作为初始原料，在按照使粒度分布D50为2μm以下的方式来混合/碎解规定量的这些初始原料而得到的粉末中添加粘合剂，进行成形、焙烧。

11.一种高频电路元件，其特征在于，含有由权利要求8所述的用于高频的电介质陶瓷构成的构件。