[发明专利]制造分裂栅存储器单元的方法

摘要

一种方法包括在半导体衬底(12)上形成第一层栅极材料(18)；在第一层上形成硬掩模层(20)；形成开口(22)；在硬掩模层上和开口内形成电荷存储层(24)；在电荷存储层上形成第二层(26)栅极材料；去除覆盖硬掩模层的第二层的部分和电荷存储层的部分，其中，第二层的第二部分仍留在开口内；在硬掩模层和第二部分上形成图案化掩模层(28、30、32)，其中，图案化掩模层限定第一和第二位单元两者；以及使用图案化掩模层来形成第一和第二位单元，其中，第一和第二位单元中的每一个包括由第一层构成的选择栅极(38、40)和由第二层构成的控制栅极(34、36)。

主权项

一种用于形成半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上方形成栅极电介质层；在所述栅极电介质层上方形成第一层栅极材料；在所述第一层栅极材料上方形成硬掩模层；形成通过所述硬掩模层和所述第一层栅极材料的开口；在所述硬掩模层上方和所述开口内形成电荷存储层；在所述电荷存储层上方形成第二层栅极材料，其中，所述第二层栅极材料的厚度至少与所述第一层栅极材料和所述硬掩模层的总厚度一样大；去除覆盖所述硬掩模层的所述第二层栅极材料的部分和所述电荷存储层的部分，其中，所述去除使用所述硬掩模层作为终止层，并且其中，所述第二层栅极材料的第二部分保留在所述开口内；在所述硬掩模层上方和在所述开口内的所述第二层栅极材料的所述第二部分上方形成图案化掩模层，其中，所述图案化掩模层限定第一位单元和第二位单元两者；以及使用所述图案化掩模层来形成所述第一位单元和所述第二位单元，其中，所述第一位单元和所述第二位单元中的每一个包括由所述第一层栅极材料制成的选择栅极和由所述第二层栅极材料制成的控制栅极。