[发明专利]制造半导体薄膜的堆叠的方法

摘要

一种用于制造堆叠的UTBOX型半导体结构的方法，所述方法包括：a)在施主衬底上形成电绝缘体层，b)通过绝缘体层向施主衬底中引入元素，c)在被称为最终衬底的第二衬底上形成电绝缘体层，d)键合两个衬底，两个绝缘体层限制水的扩散并且形成埋入两个衬底之间的厚度小于50nm的绝缘体层，在键合过程中，施主氧化物层的厚度至少等于键合氧化物层的厚度。

主权项

一种用于制造堆叠的UTBOX型半导体结构的方法，所述方法包括：a)在施主衬底(2)上形成对水的扩散形成阻挡或者能够限制该扩散的被称为施主氧化物层的第一电绝缘体层(4)，b)在形成所述施主氧化物层(4)之后向所述施主衬底中引入元素，形成弱化层(21)，c)在被称为最终衬底的第二衬底(3)上形成对水的扩散形成阻挡或者能够限制该扩散的被称为键合氧化物层的第二电绝缘体层(5)，所述键合氧化物层严格薄于所述施主氧化物层(4)；d)键合两个衬底，所述两个衬底都没有经过等离子体处理，使两个电绝缘体层相接触并且一起形成埋入两个衬底之间的被称为埋入氧化物层的绝缘体层(45)，所述绝缘体层使得在键合过程中，所述施主氧化物层的厚度至少等于所述键合氧化物层的厚度，所述埋入氧化物层的厚度(et)小于50nm。