[发明专利]利用等离子体增强化学气相沉积来沉积共形无定形碳膜层的方法

摘要

本发明提供在一基板上沉积一无定形碳层的方法及设备。在一实施方式中，一沉积工艺包含将一基板设置在一基板处理室内，将碳对氢原子比大于1∶2的一碳氢化合物来源通入该处理室，将选自由氢气、氦气、氩气、氮气、及其组合物所组成的族群的一等离子体起始气体通入该处理室，并且该碳氢化合物来源的体积流速对该等离子体起始气体的体积流速比为1∶2或更大，在该处理室内产生一等离子体，以及在该基板上形成一共形无定形碳层。

主权项

一种在一基板上形成一无定形碳层的方法，其包含：将一基板设置在一基板处理室内；将碳对氢原子比大于1∶2的一碳氢化合物来源通入所述处理室；将选自由氢气、氦气、氩气、氮气、及其组合物所组成的族群的一等离子体起始气体通入所述处理室，并且所述碳氢化合物来源的体积流速对所述等离子体起始气体的体积流速比为1∶2或更大；在所述处理室内以1瓦/平方厘米或更低的RF功率、2托或更高的压力、以及约300℃至约480℃的温度产生一等离子体；以及在所述基板上形成一共形无定形碳层。