[发明专利]具有多个感测层的图像传感器及其操作与制作方法有效
申请号: | 200980140232.4 | 申请日: | 2009-10-05 |
公开(公告)号: | CN102177585A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 约翰·P·麦卡滕;约瑟夫·苏马;克里斯蒂安·亚历山德鲁·蒂瓦鲁斯 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种图像传感器(20),所述图像传感器(20)包含第一传感器层(101),其具有第一像素阵列;及第二传感器层(102),其具有第二像素阵列。所述像素中的每一者具有光学中心。所述第一传感器层堆叠于所述第二传感器层上方,以使得所述第一像素阵列的所述光学中心从所述第二阵列的所述光学中心偏移以形成预定图案。 | ||
搜索关键词: | 具有 多个感测层 图像传感器 及其 操作 制作方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,其包括:第一传感器层,其具有第一像素阵列;第二传感器层,其具有第二像素阵列;所述像素中的每一者具有光学中心;且其中所述第一传感器层堆叠于所述第二传感器层上方,以使得所述第一像素阵列的所述光学中心从所述第二阵列的所述光学中心偏移以形成预定图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全视科技有限公司,未经全视科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980140232.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的