[发明专利]具有纳米结构二极管的整流天线设备有效
| 申请号： | 200980138397.8 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102203949A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | Y·哈内因;A·博亚格;J·朔伊尔;I·弗里德勒 | 申请（专利权）人： | 特拉维夫大学拉莫特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L29/06;H01L51/05;H01L29/86;H01L27/28;H01Q1/24;H01Q9/28;H01L51/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;高为 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种整流天线设备。所述设备包括一对电极结构(14.16)以及至少一个纳米结构二极管(12)，所述纳米结构二极管(12)至少接触该对电极结构的第一电极结构并且至少邻近该对电极结构的第二电极结构。该对电极结构中的至少一个电极结构接收AC辐射，并且纳米结构二极管(一个或多个)(18)至少部分地对AC辐射所产生的电流进行整流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 二极管 整流 天线 设备 | ||
【主权项】：
一种整流天线设备，包括：一对电极结构；以及至少一个纳米结构二极管，所述至少一个纳米结构二极管至少接触所述对中的第一电极结构并且至少邻近所述对中的第二电极结构，其中，所述对中的至少一个电极结构接收AC辐射，并且所述至少一个纳米结构二极管至少部分地对所述AC辐射产生的电流进行整流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于特拉维夫大学拉莫特有限公司，未经特拉维夫大学拉莫特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980138397.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
