[发明专利]用于制造固态成像装置的方法无效
申请号: | 200980135702.8 | 申请日: | 2009-09-02 |
公开(公告)号: | CN102150269A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 渡边万次郎 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种用于制造固态成像装置的方法,其中以晶片级批量制造大量固态成像装置,所述方法具有:将掩模材料(12)附着至设置有框架形隔体(5)的遮盖玻璃晶片(10),然后将遮盖玻璃晶片(10)细薄化的步骤;剥离掩模材料(12)并将第一支持晶片(14)经由其间的粘合构件(16)粘合至遮盖玻璃晶片的步骤;将硅晶片(18)和遮盖玻璃晶片(10)对齐并将硅晶片和遮盖玻璃晶片彼此粘合的步骤,所述硅晶片(18)具有经由其间的粘合构件(24)粘合在背面的第二支持晶片(22);将遮盖玻璃晶片(10)通过用磨石(26)分割为遮盖玻璃(4)的片的步骤;和通过用磨石(28)将硅晶片(18)分割为片的步骤。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 固态 成像 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造固态成像装置的方法,所述方法包括:在用作遮盖玻璃的基材的透明基板的一个表面上,形成多个框架形隔体和沿所述透明基板的外周包围所述框架形隔体的环形隔体的步骤;在所述透明基板的所述一个表面那侧提供掩模材料,以遮盖所述框架形隔体和所述环形隔体的步骤;从另一个表面那侧移除所述透明基板以将厚度设定到预定范围内的步骤;从所述透明基板移除所述掩模材料的步骤;将第一支持晶片层压到所述透明基板的另一个表面上的步骤;在半导体基板的一个表面上形成多个固态成像元件的步骤;从另一个表面那侧移除所述半导体基板以将厚度设定到预定范围内的步骤;将第二支持晶片层压到所述半导体基板的另一个表面上的步骤;将所述半导体基板和所述透明基板经由所述隔体粘合的步骤;从所述透明基板和所述半导体基板剥离所述第一支持晶片和所述第二支持晶片的步骤;将所述透明基板切片的步骤;和将所述半导体基板切片的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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