[发明专利]氮化物薄膜结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200980135167.6 | 申请日： | 2009-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102150286A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 尹义埈;车国宪;金钟学;吴世源;禹熙济 | 申请（专利权）人： | 财团法人首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 韩国首*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物薄膜结构及其形成方法。如果是在并非氮化物的衬底上形成氮化物薄膜，那么会因衬底与氮化物薄膜之间的晶格常数差异而产生许多缺陷。而且，存在因衬底与氮化物薄膜之间的热膨胀系数差异引起衬底翘曲的问题。为了解决这些问题，本发明提出一种薄膜结构，其中在衬底上涂覆中空微粒(即，中空结构)之后，在所述衬底上生长氮化物薄膜，本发明还提出所述薄膜结构的形成方法。根据本发明，由于可通过中空结构获得外延横向过生长(ELO)效应，因此可形成高质量氮化物薄膜。由于调整薄膜结构中的折射率，因此在将薄膜结构制造为例如发光二极管(LED)等发光装置时有提高光提取效率的效应。而且，当衬底的热膨胀系数大于氮化物薄膜的热膨胀系数时，因为氮化物薄膜中的中空结构压缩，氮化物薄膜的总应力减小，因而还有防止衬底翘曲的效应。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 薄膜 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体薄膜结构，其特征在于其包括：衬底；多个中空结构，其涂覆于所述衬底上；以及氮化物薄膜，其形成于所述衬底上。
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