[发明专利]结构化磨料制品、其制备方法、及其在晶片平面化中的用途有效
| 申请号： | 200980134338.3 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102138203A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 威廉·D·约瑟夫;朱莉·Y·乾;小吉米·R·巴兰;约翰·J·加格里亚蒂 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张爽;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了结构化磨料制品，所述结构化磨料制品包括至少半透明的薄膜背衬和设置在所述背衬上的磨料层。所述磨料层包括多种成形复合磨料。所述成形复合磨料包含分散在粘结剂中的磨粒。所述磨粒基本由平均原生粒度小于100纳米的二氧化铈粒子组成。所述粘结剂包含聚醚酸以及含有羧酸(甲基)丙烯酸酯和聚(甲基)丙烯酸酯的组分的反应产物，并且基于该磨料层的总重量，所述磨粒以至少70重量％的量存在。本发明也公开了制备和使用所述结构化磨料制品的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 磨料 制品 制备 方法 及其 晶片 平面化 中的 用途 | ||
【主权项】：
一种结构化磨料制品，其包括：至少半透明的薄膜背衬；和磨料层，所述磨料层设置在所述至少半透明的薄膜背衬上并且包括多种成形的磨料复合物，其中该成形的磨料复合物包含分散在粘结剂中的磨粒，其中所述磨粒基本由平均初级粒度小于100纳米的二氧化铈粒子组成，其中所述粘结剂包含聚醚酸以及含有羧酸(甲基)丙烯酸酯和聚(甲基)丙烯酸酯的组分的反应产物，并且其中基于所述磨料层的总重量，所述磨粒以至少70重量％的量存在。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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