[发明专利]结构化磨料制品、其制备方法、及其在晶片平面化中的用途有效
| 申请号: | 200980134338.3 | 申请日: | 2009-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN102138203A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
| 发明(设计)人: | 威廉·D·约瑟夫;朱莉·Y·乾;小吉米·R·巴兰;约翰·J·加格里亚蒂 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张爽;樊卫民 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 结构 磨料 制品 制备 方法 及其 晶片 平面化 中的 用途 | ||
1.一种结构化磨料制品,其包括:
至少半透明的薄膜背衬;和
磨料层,所述磨料层设置在所述至少半透明的薄膜背衬上并且包括多种成形的磨料复合物,其中该成形的磨料复合物包含分散在粘结剂中的磨粒,其中所述磨粒基本由平均初级粒度小于100纳米的二氧化铈粒子组成,其中所述粘结剂包含聚醚酸以及含有羧酸(甲基)丙烯酸酯和聚(甲基)丙烯酸酯的组分的反应产物,并且其中基于所述磨料层的总重量,所述磨粒以至少70重量%的量存在。
2.根据权利要求1所述的结构化磨料制品,其中如果垂直于所述磨料层观察,所述结构化磨料制品在633纳米至660纳米的波长范围内的光学透射率为至少3.5%。
3.根据权利要求1所述的结构化磨料制品,其中如果垂直于所述磨料层观察,所述结构化磨料制品在633纳米的波长处的光学透射率为至少3.5%。
4.根据权利要求1所述的结构化磨料制品,其中所述成形的磨料复合物基本由垂直于所述至少半透明的薄膜背衬的纵向取向的柱组成。
5.根据权利要求1所述的结构化磨料制品,其中所述羧酸(甲基)丙烯酸酯包含丙烯酸β-羧乙酯。
6.根据权利要求1所述的结构化磨料制品,其中所述组分还包含单(甲基)丙烯酸酯。
7.一种制备结构化磨料制品的方法,所述方法包括:
混合二氧化铈粒子、聚醚酸、羧酸(甲基)丙烯酸酯和溶剂以形成分散体,其中所述二氧化铈粒子的平均初级粒度为小于100纳米;
将所述分散体与含有聚(甲基)丙烯酸酯的组分混合以形成粘结剂前体;
在至少半透明的薄膜背衬上形成所述粘结剂前体的层;
使所述粘结剂前体与具有多个精确成形腔的生产工具接触;
固化所述粘结剂前体以形成设置在所述至少半透明的薄膜背衬上的磨料层;
使所述磨料层与所述生产工具分离,从而得到所述结构化磨料制品,其中基于所述磨料层的总重量,所述二氧化铈粒子以至少70重量%的量存在。
8.根据权利要求7所述的方法,其中如果垂直于所述磨料层观察,所述结构化磨料制品在633纳米至660纳米的波长范围内的光学透射率为至少3.5%。
9.根据权利要求7所述的方法,其中所述成形的磨料复合物基本由垂直于所述至少半透明的薄膜背衬的纵向取向的柱组成。
10.根据权利要求7所述的方法,其中所述组分还包含自由基光引发剂,并且其中通过辐射固化实现所述粘结剂前体的所述固化。
11.根据权利要求7所述的方法,其中所述组分还包含自由基热引发剂。
12.根据权利要求11所述的方法,该方法还包含热后固化所述磨料层。
13.根据权利要求7所述的方法,其中所述羧酸(甲基)丙烯酸酯包含丙烯酸β-羧乙酯。
14.根据权利要求7所述的方法,其中所述组分还包含单(甲基)丙烯酸酯。
15.一种调理晶片的氧化物表面的方法,所述方法包括:
提供结构化磨料制品,所述结构化磨料制品包括:
至少半透明的薄膜背衬;和
磨料层,所述磨料层设置在所述至少半透明的薄膜背衬上并且包括多种成形的磨料复合物,其中所述成形的磨料复合物包含分散在粘结剂中的磨粒,其中所述磨粒基本由平均初级粒度小于100纳米的二氧化铈粒子组成,其中所述粘结剂包含聚醚酸以及含有羧酸(甲基)丙烯酸酯和聚(甲基)丙烯酸酯的组分的反应产物,并且其中基于所述磨料层的总重量,所述磨粒以至少70重量%的量存在;
调理所述磨料层;
使所述至少半透明的薄膜背衬与子衬垫接触,所述子衬垫具有延伸穿过所述子衬垫的第一窗口;
将所述子衬垫固定到台板上,所述台板具有贯穿所述台板的并与所述第一窗口邻接的第二窗口;
使所述磨料层与所述晶片的所述氧化物表面摩擦接触;以及
在与工作流体接触时移动所述磨料层或所述晶片中的至少一个以研磨所述晶片的所述表面;以及
用引导穿过所述第一窗口、所述第二窗口、和所述结构化磨料制品的可见光束监测所述晶片的表面特征。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





