[发明专利]晶体制造装置、使用该晶体制造装置制造的半导体设备以及使用该晶体制造装置制造半导体设备的方法无效

专利信息
申请号: 200980134165.5 申请日: 2009-08-28
公开(公告)号: CN102137959A 公开(公告)日: 2011-07-27
发明(设计)人: 东清一郎;木庭直浩 申请(专利权)人: 国立大学法人广岛大学
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C01B33/02;C30B28/06;H01L21/208;H01L21/336;H01L29/786;H01L31/04
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;阴亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果,液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。
搜索关键词: 晶体 制造 装置 使用 半导体设备 以及 方法
【主权项】:
晶体制造装置,其包括:基板;熔化物保持器,所述熔化物保持器具有面对所述基板提供的排出口并保持包含半导体构成元素的熔化物;以及排出单元,所述排出单元布置为以期望的初始速度从所述熔化物保持器的所述排出口向所述基板排出包含所述半导体构成元素的液滴。
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