[发明专利]通过等离子体增强化学气相沉积制造具有高机械特性的特别低K膜层的新式硅前驱物

摘要

提供在一基板上沉积低介电常数膜层的方法。用以沉积此低介电常数膜层的程序包含：使一或多个有机硅化合物与成孔剂进行反应，之后将该膜层进行后处理而在膜层中造成孔隙。该一或多个有机硅化合物包含具有Si-Cx-Si或Si-O-(CH2)n-O-Si通式的化合物。在此所提供的低介电常数膜层包含在后处理之前和之后均含有Si-Cx-Si键结的膜层。该低介电常数膜层具有良好的机械力和粘性，以及所期望的介电常数值。

主权项

1.一种沉积一低介电常数膜层的方法，包含：引入一或多个有机硅化合物到一腔室中，其中该一或多个有机硅化合物包含一具有以下通式的化合物：其中每一个R¹具有C_nH_2n+1、OC_nH_2n+1或C_nH_2n-1的通式，至少一R¹包含碳，且最多一个R¹为甲基硅烷醇基团，而R²是选自由下列所组成的群组：(CH₂)_a、C＝C、C≡C、C₆H₄、C＝O、(CF₂)_b及其组合，且a和b分别为1至4，且最多一个硅原子可和一个氧原子形成一键结或是具有下列结构：其中每一个R³具有C_nH_2n+1、OC_nH_2n+1或C_nH_2n-1的通式；引入一成孔剂到该腔室内；在存有RF功率的环境下，使该一或多个有机硅化合物与该成孔剂反应，用以沉积一低介电常数膜层于该腔室内的一基板上；且之后对该低介电常数膜层进行后处理，以实质移除该低介电常数膜层中的该成孔剂，其中该经后处理的低介电常数膜层包含Si-C_x-Si键结。