[发明专利]生长GaN晶体的方法无效
| 申请号： | 200980127791.1 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102099896A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 上松康二;吉田浩章;森下昌纪;藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;C30B19/12;C30B29/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了生长GaN晶体的方法。所述方法包括以下步骤：准备具有一个主面(10m)并包含具有所述主面(10m)的GaxAlyIn1-x-yN晶体(10a)的衬底(10)；以及在800℃至1500℃的气氛温度和500至小于2,000atm的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的所述主面(10m)进行接触，在该状态下在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20)，其中该溶液(7)通过使氮(5)溶解在Ga熔融体(3)中而制得。所述方法在所述准备衬底(10)的步骤之后并且在所述生长GaN晶体(20)的步骤之前还包括腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤。因此，在不将原料以外的任何杂质添加到熔融体中并且不需要增加晶体生长装置尺寸的情况下，可以生长具有低位错密度和高结晶度的GaN晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 gan 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种生长GaN晶体的方法，所述方法包括：准备衬底(10)的步骤，所述衬底(10)具有主面(10m)并包含GaxAlyIn1‑x‑yN(0＜x，0≤y，且x+y≤1)晶种(10a)，所述GaxAlyIn1‑x‑yN晶种(10a)具有所述主面(10m)，以及通过在800℃以上1500℃以下的气氛温度和500个大气压以上且小于2000个大气压的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的主面(10m)进行接触，在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20)的步骤，其中该溶液(7)通过使氮溶解在Ga熔融体(3)中而制得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
