[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和介电体窗的温度调节机构无效
申请号: | 200980125367.3 | 申请日: | 2009-07-01 |
公开(公告)号: | CN102077320A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 西本伸也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和介电体窗的温度调节机构,能够对使用于等离子体处理的微波透过的介电体窗的温度进行更加精密地控制,实现更加良好的等离子体处理特性。等离子体处理装置(1)具有处理容器(2)、介电体窗(簇射极板)(3)、天线(4)、波导管(5)、冷却块(6)、基板保持台(7)、在处理容器(2)的上部装配的保持环(上板)(15)。通过保持环(15)将介电体窗(3)的周缘部卡定。在天线(4)之上设置内部具有能够流过热介质的冷却流路(6a)的冷却块(6)。在波导管(5)的周围设有温度传感器(16),对天线(4)等的温度进行检测。在保持环(15)的内部具有灯加热器(151)。介电体窗(3)通过由控制机构控制的冷却块(6)的冷却机构和保持环(15)的加热机构而被控制为规定的温度分布。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 介电体窗 温度 调节 机构 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理装置,包括:能对内部减压的处理容器,该处理容器具有由介电体材料形成的介电体窗;通过上述介电体窗向上述处理容器的内部供给微波的天线;将工艺气体向上述处理容器内供给的气体供给机构;通过辐射线对上述介电体窗进行加热的加热机构;对上述介电体窗进行冷却的冷却机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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