[发明专利]包括具有被电隔离的柱的二极管的共享的二极管器件部的叠轨式堆叠的非易失性存储器阵列有效
申请号: | 200980122197.3 | 申请日: | 2009-06-02 |
公开(公告)号: | CN102067315A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 夏堪杰;克里斯托弗·J·佩蒂;卡尔文·K·李 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克3D有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/102 | 分类号: | H01L27/102 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种集成电路及及其制造方法,该集成电路包括导体之间垂直取向的二极管结构。二端子装置例如无源元件存储器单元可以包括与反熔丝和/和其它状态改变元件串连的二极管操纵元件。所述装置使用柱结构在所述上和下导体组的交点形成。所述柱结构的高度通过每个柱的部分二极管与导体的其中之一形成叠轨式堆叠而被减小。在一实施例中,二极管可以包括第一导电类型的第一二极管器件和第二导电类型的第二二极管器件。所述二极管器件其中之一的一部分被划分为第一和第二部,所述部的其中之一形成为叠轨式堆叠,该部在该叠轨式堆叠与使用柱形成的其它二极管共享该叠轨式堆叠。 | ||
搜索关键词: | 包括 具有 隔离 二极管 共享 器件 叠轨式 堆叠 非易失性存储器 阵列 | ||
【主权项】:
一种集成电路装置,包括:在衬底上方的第一方向延伸的第一导体;包括第二导体和第一二极管器件的第一部的第一组带,所述第一组带在所述衬底上方在第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向基本垂直;和在所述第一导体和所述第一组带之间形成的柱,所述柱包括所述第一二极管器件的第二部、第二二极管器件、和串连于所述第一导体和所述第一组带之间的状态改变元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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