[发明专利]切割半导体晶片有效
| 申请号： | 200980121897.0 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102057480B | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 阿德里安·博伊尔;约瑟夫·卡拉甘;芬坦·麦基尔南 | 申请（专利权）人： | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 丁艺;沙捷 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 种切割半导体晶片的方法，包括使用脉冲宽度介于1皮秒至1000皮秒，且重复频率对应于比待划片材料的热弛豫时间短的脉冲之间的时间的激光，沿着切割带对至少一个电介质层进行划片以从晶片的表面去除材料。然后该晶片被切割穿透金属层且至少部分地切割穿透半导体晶片的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
一种用于切割半导体晶片的方法，其包括：a.在第一功率操作激光且监控被反射的信号以从照射表面的反射率确定待划片的材料改变的位置，b.在高于第一功率的第二功率使用脉冲宽度介于1皮秒至1000皮秒之间且重复频率对应于比待划片材料的热弛豫时间短的脉冲之间的时间的激光，沿着切割带对至少一个电介质层进行划片，以从晶片的表面去除材料，并且改变在步骤a中确定的材料改变的位置处的加工参数；以及c.切割穿透金属层且至少部分地切割穿透半导体晶片的基板，其中所述激光是锁模激光，光纤锁模激光或光纤放大激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
