[发明专利]处理装置及处理方法有效
申请号: | 200980119052.8 | 申请日: | 2009-03-24 |
公开(公告)号: | CN102046840A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 外岛正人;林赫·卡恩 | 申请(专利权)人: | 奥宝科技LT太阳能有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;B65G49/06;G02F1/13;H01L21/31;H01L21/677;H01L31/04 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种使向处理室输入、输出工件的操作效率化并提高工件的处理效率的处理装置及处理方法。在具有设置有第一供给排出口与第二供给排出口的处理室(10)的处理装置中,包括:第一输送机构,进行经由所述第一供给排出口供给排出工件(30)的操作;第二输送机构,进行经由所述第二供给排出口供给排出工件(30)的操作;交换单元,将通过所述第一输送机构输入并处理后的工件(30a)转移至所述第二输送机构,并将通过所述第二输送机构输入并处理后的工件(32a)转移至所述第一输送机构;以及控制部(22),驱动所述第一输送机构和所述第二输送机构,从所述第一供给排出口与所述第二供给排出口交替地将未处理的工件提供给所述处理室加以处理。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种处理装置,具有设置有第一供给排出口和第二供给排出口的处理室,所述第一供给排出口与所述第二供给排出口分别用于未处理的工件的输入以及处理后的工件的输出,所述处理装置的特征在于,包括:第一输送机构,进行经由所述第一供给排出口将未处理的工件输入至所述处理室的操作和从所述处理室输出处理后的工件的操作;第二输送机构,进行经由所述第二供给排出口将未处理的工件输入至所述处理室的操作和从所述处理室输出处理后的工件的操作;交换单元,将通过所述第一输送机构输入至所述处理室并进行了处理的工件转移至所述第二输送机构,并将通过所述第二输送机构输入至所述处理室并进行了处理的工件转移至所述第一输送机构;以及控制部,控制所述第一输送机构、所述第二输送机构和所述交换单元,并交替进行所述第一供给排出口和所述第二供给排出口中的工件的供给排出操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥宝科技LT太阳能有限公司,未经奥宝科技LT太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980119052.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的