[发明专利]在化学气相沉积反应器中用于配气的系统和方法无效
申请号: | 200980116944.2 | 申请日: | 2009-03-26 |
公开(公告)号: | CN102027156A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 秦文军 | 申请(专利权)人: | GT太阳能公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/455 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑特强;黄艳 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供在反应器中通过化学气相沉积制造多晶硅或另一材料的系统和方法,其中利用硅竖管来分配气体。硅竖管可经由喷嘴耦合器接附到反应器系统,使得先质气体(precursor gases)可注射到反应室的不同部份。结果,可改良在整个反应室内的气体流动,这能够增加多晶硅的产率、改善多晶硅的质量和降低能量消耗。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 反应器 用于 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种反应器系统,包括:反应室,该反应室至少包括固定在该反应室内的底板和可操作地连接到该底板的包壳;至少一条丝,该至少一条丝接附到该底板;电流源,该电流源用以供应电流到该至少一条丝;气体源,该气体源可操作地连通到该反应室,以使气体流经该反应室;以及竖管,该竖管可操作地连接到该气体源,用以将该气体流注入该反应室。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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