[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 200980113901.9 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102017196A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电半导体层；第一导电半导体下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；以及在第二导电半导体层和第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体下的有源层；在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层下的第二电极层；以及在所述第二导电半导体层和所述第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。
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