[发明专利]热处理方法无效
| 申请号： | 200980107216.5 | 申请日： | 2009-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101965630A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张仁九;李裕进;金东济 | 申请（专利权）人： | TG太阳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以防止对表面形成有薄膜的基板执行热处理工序的过程中的基板热变形的热处理方法。根据本发明的热处理方法包括：(a)在第一基板(10a)上层叠第二基板(10b)的步骤；以及(b)在第二基板(10b)上层叠荷重的步骤，并且第一基板(10a)和第二基板(10b)被层叠成薄膜之间相接触。根据本发明，在热处理工序中以形成在基板上的薄膜之间相互接触的状态层叠基板，并在所层叠的基板上放置荷重，从而具有能够防止基板变形的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种热处理方法，对形成在基板上的薄膜进行热处理，其特征在于，该方法包括：(a)在第一基板上层叠第二基板的步骤；以及(b)在上述第二基板上层叠荷重的步骤，上述第一基板和上述第二基板被层叠成薄膜之间相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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