[发明专利]热处理方法无效
申请号: | 200980107216.5 | 申请日: | 2009-03-16 |
公开(公告)号: | CN101965630A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 张仁九;李裕进;金东济 | 申请(专利权)人: | TG太阳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 方法 | ||
1.一种热处理方法,对形成在基板上的薄膜进行热处理,其特征在于,该方法包括:
(a)在第一基板上层叠第二基板的步骤;以及
(b)在上述第二基板上层叠荷重的步骤,
上述第一基板和上述第二基板被层叠成薄膜之间相接触。
2.一种热处理方法,对形成在基板上的薄膜进行热处理,其特征在于,该方法包括:
(a)在第一基板上层叠第二基板的步骤;以及
(b)在上述第二基板上层叠荷重的步骤,
层叠成上述第一基板的薄膜与上述第二基板的下部面接触。
3.一种热处理方法,对形成在基板上的薄膜进行热处理,其特征在于,该方法包括:
(a)在第一基板上层叠第二基板的步骤;以及
(b)在上述第二基板上层叠荷重的步骤,
层叠成上述第二基板的薄膜与上述第一基板的下部面接触。
4.一种热处理方法,对形成在基板上的薄膜进行热处理,其特征在于,该方法包括:
(a)准备第一组的第一基板和第二基板的步骤;
(b)在上述第一组的第一基板上层叠上述第一组的第二基板的步骤;
(c)准备第二组的第一基板和第二基板的步骤;
(d)在上述第一组的第二基板上层叠上述第二组的第一基板的步骤;
(e)在上述第二组的第一基板上层叠上述第二组的第二基板的步骤;以及
(f)在上述第二组的第二基板上层叠荷重的步骤,
上述组内的第一基板和第二基板被层叠成薄膜之间相接触,上述组之间的第一基板和第二基板被层叠成薄膜之间不接触。
5.如权利要求1至4中任一项所述的热处理方法,其特征在于,
上述荷重为石英板。
6.如权利要求2或3所述的热处理方法,其特征在于,
还包括在上述(a)步骤结束之后在上述第二基板上继续层叠追加基板的步骤。
7.如权利要求4所述的热处理方法,其特征在于,
还包括在上述(e)步骤结束之后在上述第二组的第二基板上继续层叠追加组的第一基板和第二基板的步骤。
8.如权利要求4或7所述的热处理方法,其特征在于,
在上述组之间的第一基板和第二基板之间设置分离板。
9.如权利要求8所述的热处理方法,其特征在于,
上述分离板由石英构成。
10.如权利要求8所述的热处理方法,其特征在于,
上述分离板的表面形成凹凸部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造