[发明专利]热处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种热处理方法。特别涉及在热处理工序中为了防止基板变形，以形成于基板上的薄膜相互接触的状态层叠基板且在所层叠的基板上放置荷重来防止基板变形的热处理方法。

背景技术

使用于半导体、平板显示器以及太阳能电池的制造的退火(annealing)装置，是承担为了对蒸镀在像硅片、玻璃这样的基板上的规定薄膜实施结晶化、相变化等工序而所必需的热处理阶段的装置。

例如，将液晶显示器以及薄膜型结晶硅太阳能电池中蒸镀在玻璃基板上的非晶质硅结晶化为多晶硅的硅结晶化装置，是代表性的退火装置。通常，为了非晶质硅的结晶化，最少需要550至600℃的温度。

即，通常，退火装置为对形成于基板上的薄膜加热的热处理装置，通过退火装置，基板也与薄膜同样地被加热。

但是，通常的热处理方法存在热处理工序结束之后的冷却过程中因基板和薄膜之间的热膨胀率的差异而发生基板翘曲现象的问题。尤其是，在使用像平板显示器以及太阳能电池这样的熔点比较低的玻璃基板的情况下，基板的翘曲现象更是成为问题，这种基板的翘曲现象直接导致生产率性的下降。

图1是表示根据现有技术的热处理方法的问题点的图，其中，(a)是表示热处理之前的基板状态的图；(b)是因热处理而变形的基板状态的图。

如图1的(a)所示，在玻璃基板10上例如形成有非晶质硅薄膜12的状态下，进行结晶化热处理工序。如果在图1的(a)状态下进行结晶化热处理工序，则如图1的(b)所示，由于基板10和硅12的热膨胀率相互不同，因此存在热处理工序结束之后的冷却过程中基板向热膨胀率较小的一侧弯曲且变形的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而做出的，其目的在于提供一种热处理方法，在热处理工序中，以形成于基板上的薄膜相互接触的状态层叠基板且在所层叠的基板上放置荷重，从而可以防止基板变形。

为了达到上述目的，根据本发明的热处理方法的特征在于，包括：(a)在第一基板上层叠第二基板的步骤；以及(b)在上述第二基板上层叠荷重的步骤，上述第一基板和上述第二基板被层叠成薄膜之间相接触。

另外，为了达到上述目的，根据本发明的另一个热处理方法的特征在于，包括：(a)在第一基板上层叠第二基板的步骤；以及(b)在上述第二基板上层叠荷重的步骤，并且层叠成上述第一基板的薄膜与上述第二基板的下部面接触。

另外，为了达到上述目的，根据本发明的另一个热处理方法的特征在于，包括：(a)在第一基板上层叠第二基板的步骤；以及(b)在上述第二基板上层叠荷重的步骤，并且层叠成上述第二基板的薄膜与上述第一基板的下部面接触。

另外，为了达到上述目的，根据本发明的另一个热处理方法的特征在于，包括：(a)准备第一组的第一基板和第二基板的步骤；(b)在上述第一组的第一基板上层叠上述第一组的第二基板的步骤；(c)准备第二组的第一基板和第二基板的步骤；(d)在上述第一组的第二基板上层叠第二组的第一基板的步骤；(e)在上述第二组的第一基板上层叠上述第二组的第二基板的步骤；以及(f)在上述第二组的第二基板上层叠荷重的步骤，并且上述组内的第一基板和第二基板被层叠成薄膜之间相接触，上述组之间的第一基板和第二基板被层叠成薄膜之间不接触。

上述荷重可以为石英板。

还可以包括在上述(a)步骤结束之后在上述第二基板上继续层叠追加基板的步骤。

还可以包括在上述(e)步骤结束之后在上述第二组的第二基板上继续层叠追加组的第一基板和第二基板的步骤

在上述组之间的第一基板和第二基板之间可以设置分离板。

上述分离板可以由石英构成。

在上述分离板的表面上可以形成凹凸部。

根据本发明，在热处理工序中，以形成于基板上的薄膜相互接触的状态层叠基板且在所层叠的基板上放置荷重，因此，具有能够防止基板变形的效果。

另外，根据本发明，能够防止在热处理工序中引起的基板变形，从而具有提高平板显示器以及太阳能电池的生产率的效果。

另外，根据本发明，通过在形成于基板上的薄膜相互接触的状态下对多个基板执行热处理工序，因此，热处理作业量增加而平板显示器以及太阳能电池的生产率提高，从而具有制造单价低廉的效果。

附图说明

图1是表示根据现有技术的热处理方法的问题点的图，其中，(a)是表示热处理之前的基板状态的图；(b)是因热处理而变形的基板状态的图；

图2是表示根据本发明的第一实施例的热处理方法的构成的图；