[发明专利]半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200980107116.2 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101960683A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 竹内邦生;久纳康光;畑雅幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，得到一种可抑制在活性层附近的包层产生裂缝的半导体激光元件。该半导体激光元件(100)具备：第一半导体元件部(120)、与第一半导体元件部接合的支承基板(10)，第一半导体元件部具备：谐振器；在与谐振器延伸的第一方向(B方向)交叉的第二方向(A方向)具有第一宽度的第一区域(22a)；在第二方向具有拥有比形成于第一区域上的第一宽度小的第二宽度的第二区域(22b)的第一导电型第一包层(22)；形成于第一包层的第二区域上的第一活性层(23)及第二导电型第二包层(24)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光元件，其特征在于：具备第一半导体元件部和与所述第一半导体元件部接合的支承基板，所述第一半导体元件部具备：谐振器；第一导电型第一包层，其具有：在与所述谐振器延伸的第一方向相交叉的第二方向具有第一宽度的第一区域、和在所述第二方向具有宽度比形成于所述第一区域上的所述第一宽度小的第二宽度的第二区域；和形成于所述第一包层的所述第二区域上的第一活性层及第二导电型第二包层。
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