[发明专利]NMOS晶体管具有凹陷的漏极与源极区而PMOS晶体管的漏极与源极区具有硅/锗材料的CMOS器件

摘要

本发明提供一种凹陷的晶体管配置，可选择性地提供一种类型之晶体管(150B)(例如N沟道晶体管)，因此提升应变诱发效率与串联电阻，同时可于其它晶体管(150A)(例如P沟道晶体管)设置实质上平面配置或提高的漏极与源极配置，该其它晶体管也可包含应变之半导体合金(157)，而提供与CMOS技术的高度兼容性。为此目的，在形成对应凹陷(107、112)期间，可提供一适当掩膜规画以有效地覆盖一晶体管类型(150A、150B)的栅极电极(151)，同时完全覆盖另一类型之晶体管(150A、150B)。

主权项

一种半导体器件(100)，包括：N沟道晶体管(150B)，形成在衬底(101)之上，该N沟道晶体管(150B)包括位于半导体材料(103)中的漏极与源极区域(158)，该漏极与源极区域(158)具有凹陷的表面部分(112S)，其中，相较于由该N沟道晶体管(150B)的栅极绝缘层(153)的表面所定义的高度(112H)，该凹陷的表面部分位于较低的高度(H)；P沟道晶体管(150A)，形成在该衬底(101)之上，并包括漏极与源极区域(158)，该P沟道晶体管(150A)的该漏极与源极区域(158)包括应变诱发部分，所述应变诱发部分包括半导体合金(157)；第一应变诱发层(120B)，形成在该N沟道晶体管(150B)之上，该第一应变诱发层(120B)诱发该N沟道晶体管(150B)的沟道区域(153)中的第一类型的应变；以及第二应变诱发层(120A)，形成在该P沟道晶体管(150A)之上，该第二应变诱发层(120A)诱发该P沟道晶体管(150A)的沟道区域(153)中的不同于该第一类型的应变的第二类型的应变。