[发明专利]成膜方法和存储介质无效
| 申请号： | 200980105722.0 | 申请日： | 2009-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN102089872A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 河野有美子;有马进;柿本明修;广田俊幸;清村贵利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/40;H01L21/31;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置基板的工序；向所述处理容器内导入含有第一金属的气态第一有机金属化合物原料、含有第二金属的气态第二有机金属化合物原料和氧化剂的工序，在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，作为所述第一有机金属化合物原料，使用有机配体被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为所述第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，在即将导入氧化剂之前，必须导入所述第二有机金属化合物原料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
