[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置、电子机器、半导体制造装置及存储介质

摘要

本发明提供如下的半导体装置的制造方法，即，在基板上的形成了凹部的层间绝缘膜的露出面形成屏蔽膜，在凹部内形成与下层侧的金属配线电连接的金属配线时，可以形成阶梯覆盖性良好的屏蔽膜，而且可以抑制配线电阻的上升。在将向形成于层间绝缘膜的凹部的底面露出的下层侧的铜配线的表面的氧化膜还原或蚀刻，除去该铜配线的表面的氧后，通过供给含有锰而不含有氧的有机金属化合物，而在凹部的侧壁及层间绝缘膜的表面等含有氧的部位选择性地生成作为自形成屏蔽膜的氧化锰，另一方面，在铜配线的表面不生成该氧化锰。其后，向该凹部中嵌入铜。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：工序(a)，对具有形成了凹部的层间绝缘膜、和以第一金属作为主成分而向凹部的底面露出的下层金属配线的基板，供给含有第二金属的有机金属化合物的蒸气，通过所述含有第二金属的有机金属化合物与所述层间绝缘膜的成分的一部分反应，而在所述层间绝缘膜的露出面形成作为所述第二金属的化合物的防止第一金属扩散的屏蔽膜；工序(b)，然后在所述凹部内嵌入以第一金属作为主成分的金属配线。