[实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 200920114676.8 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN201532950U | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 程知群;周肖鹏;张胜;周伟坚;胡莎 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/207 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管。本实用新型包括基底，基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层和帽层，晶体管的栅极、源极和漏极位于帽层上，缓冲层为厚度是2.5μm的GaN，插入层为厚度是4nm的Al0.04Ga0.96N，隔离层为厚度是3nm的Al0.31Ga0.69N，势垒层为掺杂硅元素的Al0.31Ga0.69N，掺杂浓度为3.5×1018cm-3，厚度为20nm，帽层为厚度是2nm的帽层Al0.31Ga0.69N。本实用新型通过改变器件的外延层结构，同时优化外延层结构的相关参数，使得器件在工作时栅极电压在一定范围工作范围内器件的跨导变化很小，器件具有较高的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括基底，其特征在于：基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层和帽层，晶体管的栅极、源极和漏极位于帽层上；所述的基底为蓝宝石、硅或碳化硅；所述的缓冲层的厚度为2.5μm；所述的插入层的厚度为4nm；所述的隔离层的厚度为3nm；所述的势垒层的厚度为20nm；所述的帽层的厚度为2nm；所述的栅极金属为镍/金、源极金属为钛/铝/镍/金、漏极金属为钛/铝/镍/金。
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