[实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 200920114676.8 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN201532950U | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 程知群;周肖鹏;张胜;周伟坚;胡莎 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/207 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括基底，其特征在于：基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层和帽层，晶体管的栅极、源极和漏极位于帽层上；
所述的基底为蓝宝石、硅或碳化硅；
所述的缓冲层的厚度为2.5μm；
所述的插入层的厚度为4nm；
所述的隔离层的厚度为3nm；
所述的势垒层的厚度为20nm；
所述的帽层的厚度为2nm；
所述的栅极金属为镍/金、源极金属为钛/铝/镍/金、漏极金属为钛/铝/镍/金。
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