[实用新型]具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构无效
| 申请号： | 200920073744.0 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN201466055U | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡亚萍;武良文;简奉任 | 申请（专利权）人： | 山东璨圆光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 山东省乳山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构，其包括：一发光二极管晶片，其结构包含有：一基板；一第一半导体层；一活性层；一第二半导体层；一透明导电层；一第一电极，其设置于所述第一半导体层之上；一第二电极，其部分设置于所述第二半导体层之上和所述透明导电层之上；至少一第一透明被覆层，其包覆于所述发光二极管晶片的外侧，且其具有低折射率；至少一第二透明被覆层，其包覆于所述第一透明被覆层的外侧，且其具有高折射率。本实用新型发光二极管晶片可发出二种以上波长的光线，可以提升不同波长光线的穿透率，藉此以增加发光二极管的光取出率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 穿透 被覆 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构，其特征在于，包括：一发光二极管晶片，其结构包含有：一基板；一第一半导体层，其设置于所述基板之上；一活性层，其设置于所述第一半导体层之上；一第二半导体层，其设置于所述多个活性层之上；一透明导电层，其部分设置于所述第二半导体层之上；一第一电极，其设置于所述第一半导体层之上；一第二电极，其部分设置于所述第二半导体层之上和所述透明导电层之上；至少一第一透明被覆层，其包覆于所述发光二极管晶片的外侧，且其具有低折射率；至少一第二透明被覆层，其包覆于所述第一透明被覆层的外侧，且其具有高折射率。
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