[实用新型]具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管，特别涉及一种多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构。

背景技术

目前，III-V族氮化物发光二极管系列自1995年发表以来，制造良率以及效益随着近年的技术不断地改善，并且发展了发光二极管在可见光频谱上三原色中的蓝色，更进而衍生混色白光发光二极管，其中蓝光发光二极管更是现今白光发光二极管中不可或缺的重要元件，不论是蓝光加黄光的拟似白光，或是以红光加绿光及蓝光所混合而成的白光，都是III-V族氮化物发光二极管的重要应用。

请参阅图1A以及图1B所示，一般发光二极管晶片包含一蓝宝石基板11、N型氮化镓层12、氮化铟镓多重量子井13、P型氮化镓层14、N型电极15以及P型电极16，再封装一封装层17，当光由氮化铟镓多重量子井13发射出时，光并无一定方向传播，发光方向为四面八方，故只有一部分经由上方射出，即一般正面取光结构造成发光取出效率低，所以公知发光二极管只能从表面发出约不到一半的光，其中还有一部份会受到P型电极的不透光或吸收而损失，且由于目前白光是由蓝、绿、红光发光层所组合，或者掺杂荧光粉以达白光的发光，然而目前只有单一封装层封装白光发光二极管，由于蓝、绿、红光对于不同折射率的封装层其穿透率不同，公知技术因为使用单一封装层因此降低蓝、绿、红光的混光强度。

再者，TW专利证号：229954，专利名称：具有多层膜光反射层的III-V族氮化物发光二极管覆晶结构及其制造方法，其所揭示的一种具有多层膜光反射层的III-V族氮化物发光二极管覆晶结构，其是利用一多层膜光反射层，以两种不同折射率系数的材质连续交错沉积及被覆在所述N型氮化镓下包覆层和所述透明导电膜的上方，与所述P型电极的一部分接触，并与所述N型电极和所述N型欧姆接触层的一部分接触。其将多层膜光反射层应用于覆晶结构，且为反射光线所用。

故一种发光二极管当其混合R、G、B三原色发出白光时，由于三种波长的光线相对于封装层的穿透率也不同，所以当发光二极管发光多种光线时，如何增加光的取出效率实为一重大课题。

实用新型内容

本实用要解决的技术问题在于提供一种具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构，以增加发光二极管的光取出效率，并可微调光色。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案包括：一发光二极管晶片，其结构包含有：一基板；一第一半导体层，其设置于所述基板之上；一活性层，其设置于所述第一半导体层之上；一第二半导体层，其设置于所述多个活性层之上；一透明导电层，其部分设置于所述第二半导体层之上；一第一电极，其设置于所述第一半导体层之上；一第二电极，其部分设置于所述第二半导体层之上和所述透明导电层之上；至少一第一透明被覆层，其包覆于所述发光二极管晶片的外侧，且其具有低折射率；至少一第二透明被覆层，其包覆于所述第一透明被覆层的外侧，且其具有高折射率.

本实用新型的有益效果在于：当发光二极管发光多种光线时，可以增加光的取出效率。并具有良好的耐环境稳定性，不易受大气中的水与氧的影响，本发明层与层之间以及第一透明被覆层分别与基板与电极的附着力强，不会产生脱离的现象。

本发明还提供了一种具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构，其主要结构包括：一发光二极管晶片，其可发出多个波长光线；至少一第一透明被覆层，其包覆于所述发光二极管晶片的外侧，且其具有低折射率；至少一第二透明被覆层，其包覆于所述第一透明被覆层的外侧，且其具有高折射率。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1A是公知技术的发光二极管晶片的结构示意图；

图1B是公知技术的发光二极管封装的结构示意图；

图1C是公知技术的发光二极管R、G、B光线的穿透率的曲线图；

图2是本实用新型的一较佳实施例的第一透明被覆层与第二透明被覆层与发光二极管晶片结合的结构示意图；

图3是本实用新型的另一较佳实施例的第一透明被覆层与第二透明被覆层与发光二极管晶片结合的结构示意图；

图3A是本实用新型的另一较佳实施例的第一透明被覆层与第二透明被覆层与发光二极管晶片结合的结构示意图；

图3B是本实用新型的另一较佳实施例的第一透明被覆层与第二透明被覆层与发光二极管晶片结合的结构示意图；

图4是本实用新型的一较佳实施例的蓝光于第一透明被覆层与第二透明被覆层交互沉积五层的穿透率的曲线图；

图5是本实用新型的一较佳实施例的绿光于第一透明被覆层与第二透明被覆层交互沉积五层的穿透率的曲线图；