[发明专利]非易失性存储器件及其驱动方法无效
| 申请号： | 200910261764.5 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101794784A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 郑真孝 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;李占平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种半导体技术，且更具体地，披露了一种非易失性存储器件及其驱动方法。该非易失性存储器件包括在第一型阱上形成的浮栅，以及在第二型阱上形成且串联连接至浮栅的晶体管。晶体管中的一个是用于编程操作和擦除操作的第一晶体管，而另一个是用于读取操作的第二晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：浮栅，在第一型阱上形成；以及晶体管，在第二型阱上形成，且串联连接至所述浮栅，其中，所述晶体管中的一个为用于编程操作和擦除操作的第一晶体管，而另一个为用于读取操作的第二晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
