[发明专利]一种利用钽金属制作薄膜射频陶瓷功率器件的工艺无效
| 申请号： | 200910251460.0 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102108030A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 方超;周永胜 | 申请（专利权）人： | 安徽信安通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;C04B35/10;C04B35/581;C04B35/08;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及了利用钽制成薄膜射频功率器件的工艺，钽膜的厚度在150nm左右，紧密附着在陶瓷上。由于处理过的钽膜在150度以内时，非常稳定，所以采用本工艺制成的陶瓷功率器件，具有功率大，体积小，常温下耐酸、耐碱、耐湿，高频回波低，电阻温度系数低等优势。相比较传统厚膜电子器件而言：安装简单，体积小，寿命长，可靠性好。而厚膜是利用钌金属及其氧化物，再加上玻璃成分，混合制成浆料，由它制作成的电子器件，厚度和散热性能，比薄膜相差很多。利用本发明工艺可以生产功率电阻、衰减器类，大容量电容、电感类电子基础产品。目前只有国外有此工艺技术，但可惜国内还没有成熟的工艺。本发明工艺流程可以大大提高这类产品的国产化进程，提高产品的合格率；并且衍生出大量的实用电子产品，如薄膜/混合集成电路等，打破国外的垄断。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 金属 制作 薄膜 射频 陶瓷 功率 器件 工艺 | ||
【主权项】：
利用真空磁控溅射方式，在陶瓷基体上沉积钽金属薄膜，薄膜厚度为纳米级的工艺流程；
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