[发明专利]一种高温冶金法制备太阳能级多晶硅的工艺

摘要

一种高温冶金法制备太阳能级多晶硅的工艺，属于冶金技术领域，步骤包括将二氧化硅原料和碳质还原剂分别进行酸洗和真空预处理，混合后进行电弧冶炼；在冶炼获得的硅中加入造渣剂并在搅拌条件下进行炉外精炼，将炉外精炼结束后获得的硅置于真空感应炉中，抽真空通入保护气体升温至1500～1900℃搅拌精炼10～30min，再抽真空至≤0.1Pa，冷却。该方法可采用现有的常规设备，通过逐步提高纯度的方法，采用相对简单的步骤获得纯度99.9999％以上的高纯度多晶硅。本发明的方法能够产生巨大的经济效益，具有良好的应用前景。

主权项

一种高温冶金法制备太阳能级多晶硅的工艺，步骤包括将二氧化硅原料和碳质还原剂分别进行酸洗预处理、冶炼还原、精炼和定向凝固步骤；其特征在于所述的冶炼还原步骤为：将酸洗预处理后的碳质还原剂和二氧化硅原料混合后进行电弧冶炼，碳质还原剂与二氧化硅原料的配比按还原SiO2所需C量的1.1～1.3倍，电弧冶炼采用埋弧电弧冶炼方法；精炼的步骤为：在冶炼获得的硅中加入造渣剂并在搅拌条件下进行炉外精炼，造渣剂的加入量为硅总重量的5～30％，精炼温度为1550～2000℃，搅拌时间为10～30min，去除矿渣后结束炉外精炼；将炉外精炼结束后获得的硅置于真空感应炉中，抽真空至≤0.1Pa，通入保护气体至压力为0.05～0.1MPa，然后升温至1500～1900℃搅拌精炼10～30min，再抽真空至≤0.1Pa，冷却后获得固体硅。