[发明专利]低电容电压可编程TVS器件

摘要

本发明涉及低电容电压可编程TVS器件及其制造方法，由闩锁通路和限压保护通路构成，在闩锁通路上，PNP三极管和NPN三极管构成闩锁结构，输入端接PNP三极管的发射极，PNP三极管的集电极接NPN三极管的基极，PNP三极管的基极接NPN三极管的集电极，NPN三极管的发射极接输出端，且PNP三极管的集电极与TVS管的阳极相连，PNP三极管的基极与TVS管的阴极连接，构成器件的门极；在限压通路上，由两个降容二极管和一TVS器件组成，TVS管阳极与第一导向二极管阳极连接，TVS管阴极与第二导向二极管阴极连接，第二导向二极管阳极接输入端，第一导向二极管阴极接输出端；通过改变门极电位，实现在TVS击穿电压以内的可编程保护和过压保护。

主权项

一种低电容电压可编程TVS器件，由闩锁通路和低电容二极管的限压保护通路构成，所述的TVS器件由PNP三极管、NPN三极管和TVS管构成，用于可编程保护及低电容和限制保护电压上限，其特征在于：在闩锁通路上，PNP三极管(28)和NPN三极管(27)构成闩锁结构，输入端(11)接PNP三极管(28)的发射极，PNP三极管(28)的集电极接NPN三极管(27)的基极，PNP三极管(28)的基极接NPN三极管(27)的集电极，NPN三极管(27)的发射极接输出端(12)，且PNP三极管(28)的集电极与TVS管(21)的阳极相连，PNP三极管(28)的基极与TVS管(21)的阴极连接，构成器件的门极(13)；在低电容限压通路上，由两个降容二极管和一个TVS器件组成，TVS管(21)的阳极与第一导向二极管(22)的阳极连接，TVS管(21)的阴极与第二导向二极管(23)的阴极连接，第二导向二极管(23)的阳极接输入端(11)，第一导向二极管(22)的阴极接输出端(12)；通过改变门极电位，实现在TVS击穿电压以内的过压保护。