[发明专利]半导体发光器件有效
申请号: | 200910246326.1 | 申请日: | 2009-11-25 |
公开(公告)号: | CN101740696A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 丁焕熙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/24;H01L33/38 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括:导电支撑构件,在所述导电支撑构件上的N-型半导体层;在所述N-型半导体层上的有源层,在所述有源层上的P-型半导体层,在所述P-型半导体层上的欧姆接触层,和在所述欧姆接触层上的电极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体发光器件,包括:导电支撑构件;在所述导电支撑构件上的N-型半导体层;在所述N-型半导体层上的有源层;在所述有源层上的P-型半导体层;在所述P-型半导体层上的欧姆接触层;和在所述欧姆接触层上的电极。
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