[发明专利]一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种电荷俘获型非易失存储器及其制作方法。该存储器包括：硅衬底；在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区；在源导电区和漏导电区之间载流子沟道上覆盖的由SiO2材料构成的隧穿介质层；在隧穿介质层上覆盖的具有锥形能带结构的HfAlO高K材料俘获介质层；在俘获介质层上覆盖的由高k材料Al2O3构成的控制栅介质层；以及在控制栅介质层上覆盖的栅材料层。利用本发明，有效地提高了电荷俘获型非易失存储器的电荷保持特性，并且有益于增大存储窗口，提高擦写速度，综合改善了其存储性能，为器件的进一步缩小奠定了基础。

主权项

一种电荷俘获型非易失存储器，其特征在于，该存储器包括：硅衬底(1)；在硅衬底(1)上重掺杂的源导电区(6)和漏导电区(7)；在源导电区(6)和漏导电区(7)之间载流子沟道上覆盖的由SiO2材料构成的隧穿介质层(2)；在隧穿介质层(2)上覆盖的具有锥形能带结构的HfAlO高K材料俘获介质层(3)；在俘获介质层(3)上覆盖的由高k材料Al2O3构成的控制栅介质层(4)；以及在控制栅介质层(4)上覆盖的栅材料层(5)。