[发明专利]一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法有效
| 申请号： | 200910236735.3 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101985773A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王波;陈小龙;彭同华;鲍慧强;刘春俊;李龙远;王刚 | 申请（专利权）人： | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 832000 新疆维吾尔自治区石河子*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长的籽晶处理方法以及使用该籽晶处理方法的碳化硅单晶生长方法。籽晶处理方法包括在与籽晶的生长面相反的籽晶背面涂覆有机物，在所述有机物中碳元素的质量百分比大于50％；然后将已涂覆上述有机物的上述籽晶加热到1000-2300℃范围内以在籽晶背面形成石墨膜；之后冷却已形成石墨膜的籽晶从而获得用于制备碳化硅晶体的籽晶。通过这种方法处理好的石墨涂层在SiC单晶生长的条件下也能保持致密性和稳定性，从而很大程度上避免背向腐蚀，进而提高晶体的质量和产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 处理 方法 生长 碳化硅 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶体生长的籽晶处理方法，该方法用于提高物理气相沉积法生长的碳化硅单晶质量，其中在籽晶的生长面生长碳化硅单晶，该方法包括：在与籽晶的生长面相反的籽晶背面涂覆有机物，在所述有机物中碳元素的质量百分比大于50％；然后将已涂覆上述有机物的上述籽晶加热到1000‑2300℃范围内以在籽晶背面形成石墨膜；之后冷却已形成石墨膜的籽晶从而获得用于制备碳化硅晶体的籽晶。
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