[发明专利]一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法有效
| 申请号： | 200910236735.3 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101985773A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王波;陈小龙;彭同华;鲍慧强;刘春俊;李龙远;王刚 | 申请（专利权）人： | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 832000 新疆维吾尔自治区石河子*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 处理 方法 生长 碳化硅 | ||
1.一种碳化硅晶体生长的籽晶处理方法，该方法用于提高物理气相沉积法生长的碳化硅单晶质量，其中在籽晶的生长面生长碳化硅单晶，该方法包括：在与籽晶的生长面相反的籽晶背面涂覆有机物，在所述有机物中碳元素的质量百分比大于50％；然后将已涂覆上述有机物的上述籽晶加热到1000-2300℃范围内以在籽晶背面形成石墨膜；之后冷却已形成石墨膜的籽晶从而获得用于制备碳化硅晶体的籽晶。
2.如权利要求1所述的方法，其中籽晶背面涂覆的有机物厚度范围为1μm-100μm。
3.如权利要求1所述的方法，其中将已涂覆上述有机物的上述籽晶加热包括以下步骤：首先将上述籽晶在真空中加热到1000-1500℃范围内，然后在惰性气体中升温至1800-2300℃范围内。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述有机物包括碳元素质量百分比大于50％的树脂。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述有机物为固态或者粘稠的液态，并且所述有机物溶于有机溶剂。
6.如权利要求1所述的方法，其中籽晶的材料包括SiC晶体，所述SiC晶体的晶型包括4H、6H和/或3C晶型。
7.一种物理气相沉积法生长碳化硅单晶的方法，该方法使用如权利要求1所述的籽晶处理方法，然后将已形成石墨膜的籽晶直接粘贴或者机械固定于石墨盖上，然后使用物理气相沉积法在籽晶上生长碳化硅单晶。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述石墨膜的气孔率小于石墨盖的气孔率。
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